- 產(chǎn)品詳情
| Product | Blocking Voltage BVDSS (V) | ID(max) (A) | RDS(on) Typ @ 25°C (mΩ) | Qg Total (nC) | Output Capacitance (pF) | Tj Max (°C) |
| NCS025M3E120NF068-09 | 1200 | 150 | 11 | 204 | 221 | 175 |
| NCS025M3E120NT066-09 | 1200 | 150 | 11 | 204 | 221 | 175 |
NCS025M3E120NF06X 是一款 1200V、11mΩ 的碳化硅(SiC)MOSFET 裸芯片，具有以下特點(diǎn)：
高電壓與低導(dǎo)通電阻：1200V 耐壓，11mΩ 導(dǎo)通電阻，適合高電壓、高效率應(yīng)用。
高開關(guān)頻率：支持高頻率操作，有助于減小電路尺寸。
高可靠性：通過多種可靠性測試，如高溫反向偏置(HTRB)和高溫柵極偏置(HTGB)，確保穩(wěn)定工作。
高雪崩能力：增強(qiáng)系統(tǒng)在過載情況下的安全性。
高閾值電壓：降低誤開通風(fēng)險，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
應(yīng)用領(lǐng)域
電動汽車：用于主逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，提高效率和功率密度。
可再生能源：適用于太陽能和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)，提升能源轉(zhuǎn)換效率。
工業(yè)電源：用于高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換。
數(shù)據(jù)中心和通信電源：降低能耗，提高系統(tǒng)可靠性。
