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  英飛凌FS100R12PT4：經(jīng)濟型高效六單元IGBT模塊 2024-03-11 09:14:34

  隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，高性能的IGBT模塊在逆變器、電機驅(qū)動以及新能源發(fā)電等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。在眾多IGBT模塊品牌中，英飛凌憑借其卓越的技術(shù)實力和品質(zhì)保障，一直受到市場的青睞。今天，我們?yōu)榇蠹医榻B一款英飛凌的明星產(chǎn)品——FS100R12PT4，這款1200V 100A六單元IGBT模塊，不僅性能卓越，而且經(jīng)濟實用，是您電力電子系統(tǒng)的理想之選。

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  Linear Systems 2N4351 N通道增強型MOSFET 2025-03-31 09:11:10

  Linear Systems 2N4351 是一款 N 溝道增強型 MOSFET，采用 TO-72 4 引腳封裝，可直接替代 Intersil 2N4351，具有高跨導(dǎo)增益（1000μS）、低導(dǎo)通電阻（300Ω）、低漏電流（10nA）和快速開關(guān)特性（開啟延遲 ≤45ns，關(guān)閉延遲 ≤60ns），適用于開關(guān)電源、信號處理、模擬開關(guān)和保護電路等高頻、高精度應(yīng)用。其最大漏極電流為 20mA，耐壓 25V，工作溫度范圍 -55°C 至 +150°C，連續(xù)功耗 350mW。