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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  Semelab D2002UK射頻功率MOSFET晶體管 2026-02-05 09:04:10

  D2002UK 是一款由 Semelab（TT Electronics）生產(chǎn)的 N 溝道射頻功率 MOSFET，采用 DP 陶瓷法蘭封裝，適用于中低功率、寬頻帶（DC 至 1 GHz）的射頻放大與發(fā)射場景，典型輸出功率約 5 W，功率增益約 13 dB，具備良好的散熱性能和可靠性，常用于 VHF/UHF 功率放大器、無線通信發(fā)射模塊、工業(yè)射頻設(shè)備及測(cè)試儀表等應(yīng)用。