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推薦資訊

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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  Wi2Wi FV3-T-25000X-C-C-D-3-R-X超小型壓控晶體振蕩器(VCXO) 2025-07-16 08:39:14

  Wi2Wi的FV3系列是一款超小型（3.2×2.5×1.0mm）壓控晶體振蕩器（VCXO），支持LVCMOS/LVDS/LVPECL輸出，具備低抖動、低相位噪聲特性，頻率覆蓋10MHz-1500MHz（可定制±50/100ppm穩(wěn)定度），工作電壓2.5V/3.3V（±10%），符合RoHS/REACH標準，適用于電信、高速視頻、測試儀器及軍工（-55°C至+125°C）等高密度電路場景。