當今“始終連接”的世界需要可靠、高性能、高能效的無線連接。射頻通信對于移動和無繩電話、平板電腦、游戲機和機頂盒的成功運行至關重要。在汽車領域，從胎壓監(jiān)測和遠程進入到導航和信息娛樂，無線在各個領域都發(fā)揮著重要作用。射頻通信在多旋翼飛行器的控制中起著舉足輕重的作用，從而確保安全運行。
成功滿足這些應用要求的關鍵在于選擇最合適的射頻組件。本文概述了對射頻通信日益增長的需求，探討了在指定晶體管和二極管等分立元件時需要考慮的因素，并介紹了幫助工程師在其設計中實現穩(wěn)定、魯棒和可靠通信的技術。
分立射頻 – 無線連接的核心
據估計，到 50 年，將有超過 2020 億臺設備連接。數據流量處于歷史最高水平——由個人通信和物聯網的機器對機器通信驅動。隨著無線數據速率達到 1
Gbps，數據量繼續(xù)快速增長，視頻和數據流變得越來越普遍。
隨著我們對無線的依賴程度越來越高，我們對性能和系統(tǒng)可用性的要求也越來越高，網絡的穩(wěn)定性和可靠性至關重要。分立射頻元件的市場規(guī)模估計為
345.<> 億歐元，是提供穩(wěn)定可靠的通信的基礎，而這些通信是消費、工業(yè)、通信和汽車領域應用的核心。
圖 1：射頻產品在不同市場的廣泛應用中都有應用
其中最重要的射頻分立器件包括PIN二極管、肖特基二極管和射頻晶體管。在選擇這些器件時，工程師需要考慮各種標準，例如性能、系統(tǒng)靈敏度、抗干擾性和效率。雖然組件性能當然起著重要作用，但尺寸和多功能性也起著重要作用。隨著終端產品越來越小，各種封裝類型的高性能器件的可用性是關鍵。這使得設計人員能夠在太小的空間內實現所需的設計。
組件的質量和可靠性也是重要的選擇標準，尤其是在預期在戶外或工廠或車輛的惡劣條件下連續(xù)運行的應用中。
PIN二極管
PIN二極管與傳統(tǒng)二極管類似，但它們在PN層之間有一個本征層。這種非摻雜區(qū)域增加了隔離并降低了電容，尤其是與傳統(tǒng)二極管相比，為射頻開關應用帶來了顯著優(yōu)勢。
PIN 二極管可用于電源和高壓等領域，常見于 RF
設計中。當正向偏置時，PIN二極管的行為類似于電阻器，而當反向偏置時，它變?yōu)殚_路。這些獨特的特性使PIN二極管可以用作可變衰減器中的可變電阻器或RF開關。PIN二極管也用于RF保護電路中。
PIN二極管開關用于移動應用(消費類手機和基站)以及WLAN設備、機頂盒和汽車娛樂系統(tǒng)。當用作衰減器時，它們最常見于汽車信息娛樂應用。
指定PIN二極管時，主要考慮因素之一是插入損耗，它與R成正比F，正向串聯電阻。RF對于給定的偏置電流，通常以毫瓦為單位，理想情況下，RF應盡可能低。然而，與往常一樣，需要權衡取舍。在本例中，作為
RF減小，因此電容 CT增加。C 的低值T是PIN二極管寬帶隔離特性的重要決定因素。
為確保信號完整性，PIN二極管的線性度在許多應用中都是一個重要參數，開關時間也是如此，尤其是在RX-TX組合天線電路需要快速開關時間的情況下。
鑒于當今應用中的空間限制，設計人員將尋找提供各種封裝類型的供應商，以便在PCB布局受限的情況下進行選擇。通過將多個PIN二極管封裝在一個公共封裝中，可以進一步實現緊湊封裝。
肖特基二極管
肖特基二極管的特點是正向壓降低至約0.2
V，開關速度快。低壓降使其在電源應用和射頻應用中很受歡迎，而在射頻應用中，與傳統(tǒng)的PN二極管相比，快速的開關速度帶來了顯著的優(yōu)勢。肖特基二極管通常用于檢測器電路，尤其是手機、WLAN設備和基站。它們還用作機頂盒和其他類似應用中的混合元件。
肖特基二極管是低勢壘 N 型硅器件，由 N
型材料上的沉積金屬層組成。然而，由于金屬化區(qū)域邊緣的強電場，可能會發(fā)生擊穿和泄漏效應。這些問題可以通過在板邊緣擴散P+半導體的保護環(huán)以及氧化層來克服。
圖 2：顯示保護環(huán)的肖特基二極管結構
在指定肖特基二極管時，漏電流是首要考慮因素。這與正向電阻 R
成正比F.二極管的整體效率非常重要，尤其是在電池電量非常寶貴的便攜式設備中。設計人員還應密切關注二極管的信號失真和線性度，以確保忠實再現信號。(推薦：Infineon英飛凌CoolSiC?肖特基二極管IDW15G120C5B)
射頻晶體管
異質結雙極晶體管 (HBT) 具有性能參數，非常適合用作射頻應用中的單頻段和雙頻段低噪聲放大器 (LNA)。它們通常分為低頻(<5
GHz)和中頻(高達 14 GHz)。（推薦：Ampleon寬帶功率LDMOS射頻晶體管BLF642）
LNA 廣泛用于射頻應用，因此，射頻晶體管可用于衛(wèi)星通信、導航系統(tǒng)、移動和固定連接(例如 WiMAX)和 Wi-Fi
系統(tǒng)。它們也是多旋翼飛行器遠程控制的基礎。
在指定射頻晶體管時，需要考慮許多方面。由于射頻晶體管的基本作用是放大信號，因此增益(G麥克斯)是至關重要的。器件效率也可能很重要，尤其是在電池供電應用中。
噪聲系數 (NF) 是一個關鍵參數，它表征了與理論上完美的(無損和無噪聲)放大器相比，實用放大器的信噪比 (SNR)
下降。NF就是放大器輸入端的SNR與輸出端SNR的比值。
基礎半導體技術將對特定應用的整體適用性產生重大影響。例如，與砷化鎵替代品相比，硅鍺 (SiGe) 具有許多優(yōu)勢，包括由于 V
較低而具有更高的效率CE認證而且，一般來說，SiGe器件具有更好的噪聲系數。
與SiGe器件相比，SiGe：C(硅-鍺-碳化物)雙極器件具有類似的出色噪聲和線性度性能，其額外優(yōu)勢是ESD保護可以直接集成到晶體管中，從而顯著提高了器件的魯棒性。
“最先進的”射頻分立器件
英飛凌用于互補無線設計的射頻分立器件系列是這些技術近年來發(fā)展的一些很好的例子。例如，在PIN二極管的情況下，BA592的插入損耗(RF) 為 360
mW，而 BAR63 的 C 值為 0.23 pFT.如果空間在應用中至關重要，那么 BAR90 可作為采用超小型 TSSLP8 封裝的四重封裝提供。英飛凌
PIN 二極管系列的性能使其成為天線開關應用的理想選擇，同時 AEC 認證也確保了對要求苛刻的汽車應用的適用性。
對于肖特基二極管，則有多種封裝內配置可供選擇，包括共陽極或陰極以及串聯和并聯配置。BAT15 系列提供多種配置，包括雙通道和四通道選項，帶有
CT0.26 pF，非常適合混頻器應用。為了獲得終極性能，BAT24 擁有 CT僅為 0.21 pF，適用于高達 24 GHz 的雷達系統(tǒng)。
最后，英飛凌的射頻晶體管技術(現已推出第8代)旨在在整個范圍內提供低噪聲和高線性度等關鍵性能值。
圖 3：英飛凌的射頻晶體管產品線通過持續(xù)創(chuàng)新提供一流的性能
這一代產品的主要特性包括高轉換頻率(fT) 為 80 GHz，并且由于能夠在低至 1.2 V 的電源電壓下工作而功耗低。
圖 4：RF 增益 (G麥克斯)和噪聲功能與競爭器件相比，性能大幅提升
BFx84x 系列是領先的 HBT 器件之一，在分立式射頻 LNA 中被認為是“同類最佳”。該器件的噪聲系數為 0.85 dB (@5.5
GHz)，增益高達 23 dB，由于器件具有特殊的幾何形狀，其性能優(yōu)于市場上的許多其他器件。與英飛凌的所有 SiGe：C 射頻晶體管一樣，BFx84x 提供高達
1.5 kV (HBM) 的內置 ESD 保護。
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